×

科技首页 > 科技资讯 > 正文

HBM3/DDR5内存技术参数首次公开:均基于7nm打造

2017-12-08 01:46:00 来源: 太平洋电脑网

  原标题:HBM3/DDR5内存技术参数首次公开:均基于7nm打造

  【PConline 资讯】德媒ComputerBase报道称,Rambus的规划显示,HBM3基于7nm工艺制造,带宽高达4GT/s,封装架构更加复杂。

  按照单芯片1024bit位宽,速度就可以实现512GB/s到1TB/s,也就是比HBM2直接翻了两番。

  至于DDR5内存,设计目标I/O带宽6.4Gbps,总带宽51.2GB/s,频率4800~6400MHz,预取位数16bit,均比DDR4翻番。

  其实在今年9月,Rambus就号称在实验室搞定了第一块完整工况的DDR5验证产品,电压还只有1.1V。

  然而,必须指出的是,至少在整个2018年,HBM3/DDR5的影子都不会见到,最快最快也需要2019年。

  Rambus到底是用PPT吓人还是真有几把刷子,那就不得而知了。只希望这种技术出来以后,不要再凭借专利去到处“咬人”,而且当年Intel因为硬上Rambus RDRAM被结结实实坑了一把。

  铭瑄 巨无霸F1 8G电商价格读取中...

作者: 编辑:未闻

推荐阅读

社会

娱乐

军事

国际

消防员徒手抛开石子救援

宁夏两女子骑骆驼上班

中央新闻网站  专注青少年领域

版权所有:共青团中央网络影视中心信息网络传播视听节目许可证0105108号 京ICP备13016345号-1

联系我们  |  关于我们  |  客服电话:010-57380506